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《固体电子学研究与进展》双月刊

分类:核心论文发表 作者:admin 评论:0 点击: 47 次

《固体电子学研究与进展》

固体电子学研究与进展
Research & Progress of SSE

核心期刊 CA JST WJCI
基本信息
主办单位:南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所)

出版周期:双月

ISSN:1000-3819

CN:32-1110/TN

出版地:江苏省南京市

语种:中文;

开本:大16开

创刊时间:1981

出版信息
专辑名称: 信息科技

专题名称: 无线电电子学

出版文献量:4520篇

评价信息
(2021)复合影响因子:0.378

(2021)综合影响因子:0.244

该刊被以下数据库收录:
CA 化学文摘(美)(2020)

JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)(2018)

WJCI 科技期刊世界影响力指数报告(2020)来源期刊

北京大学《中文核心期刊要目总览》来源期刊:

1992年(第一版),1996年(第二版),2000年版,2004年版,2008年版,2011年版,2014年版,2017年版,2020年版

期刊荣誉:

中科双效期刊;

《固体电子学研究与进展》论文发表目录:
三维集成射频微系统(专栏)
新型硅基3D异构集成毫米波AiP相控阵列沈国策;周骏;陈继新;师建行;杨驾鹏;沈亚;323-329
小型化硅基毫米波MEMS三维异构集成开关滤波器件侯芳;孙超;栾华凯;黄旼;朱健;胡三明;330-336
宽禁带半导体
GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制薛舫时;杨乃彬;陈堂胜;孔月婵;337-342
基于GaN HEMT的非对称型Doherty功率放大器设计汪荣昌;陈新宇;张吕;陈志勇;祝超;曾瑞峰;343-347+358
器件物理与器件模拟
GaN(0001)表面台阶结构的第一性原理研究李尧;伍莹;冯加贵;熊康林;348-353+375
一种改进的高频GaN HEMT器件模型余国栋;汪珍胜;王储君;王维波;陶洪琪;354-358
垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管优化设计杨嘉颖;利健;黄昊;郑子阳;吴健华;贺威;359-364
射频微波与太赫兹
PIN二极管限幅器线性度探究王乔楠;王生明;邓世雄;365-369+387
一款0.1~2.0 GHz的高线性度低噪声放大器张博;贺城峰;370-375
光电子学
Si(111)衬底上Mg2Si薄膜的XRD和拉曼光谱研究廖杨芳;谢泉;376-381




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《固体电子学研究与进展》双月刊:等您坐沙发呢!

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